中枢性孤立性眩晕的责任病灶

1.前庭神经核(VN,图A):VN梗死兼具外周及中枢前庭损伤特点,详见文献学习:表现前庭外周损伤特点的脑梗死。VN梗死造成同侧前庭张力下降,而OTR偏向前庭张力低的一侧。

2.舌下前置核(NPH,图B):NPH位于舌下神经核吻端,在橄榄上部断面可见,替代舌下神经核位置。NPH梗死造成对侧前庭张力相对下降,OTR既可偏向同侧,亦可偏向对侧。

3.小脑下脚(ICP,图C):ICP梗死造成同侧VN失抑制,前庭张力升高,OTR偏向对侧;同时同侧伸肌张力下降或本体感觉损伤,身体向同侧倾倒。头和身体偏斜方向分离为其特征。

下面一幅图可以帮助我们辨识这些结构,但有时候这并不容易!

4.小脑绒球(Floccular,图D):绒球梗死造成同侧VN失抑制,自发眼震朝向同侧,OTR偏向对侧。

5.小脑扁桃体(Tonsilar,图E):小脑扁桃体梗死造成显著的同侧平滑追踪受损,黑暗条件下出现的同向自发眼震及SVV向对侧偏斜。

6.小脑小结(Nodular,图F):小结梗死造成同侧VN和速度存储机制失抑制,后者可引起周期交替性眼震(periodicalternatingnystagmus,PAN)。

概括这些中枢损伤的查体及检查特点如下:

此外,还有一些病灶简单图示如下:

参考文献:1.Neurology,,67(7):-83.

2.JStroke,,16(3):-30.

3.JNeurol,,(Suppl1):63-69.

4.Neurology,,83(2):-73.

5.JNeurol,,(1):-9.

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